Navegar

Colección

Datos Estadísticas

Artículo

La versión final de este artículo es de uso interno. El editor solo permite incluir en el repositorio el artículo en su versión post-print. Por favor, si usted la posee enviela a
Consulte el artículo en la página del editor
Consulte la política de Acceso Abierto del editor

Abstract:

The energy bands of silicon for imaginary values of k are obtained by diagonalizing a 15 × 15 k.p Hamiltonian. The results are compared with those of the two band model. A method is given to calculate intrinsic surface states using these bands. The results of preliminary calculations for silicon are presented. © 1966.

Registro:

Documento: Artículo
Título:Electronic surface states in germanium and silicon
Autor:Chaves, C.M.; Majlis, N.; Cardona, M.
Filiación:Facultad de Ciencias Exactas y Naturales, Universidad de Buenos Aires, Buenos Aires, Argentina
Physics Department, Brown University, Providence, RI, United States
Año:1966
Volumen:4
Número:6
Página de inicio:271
Página de fin:274
DOI: http://dx.doi.org/10.1016/0038-1098(66)90450-9
Título revista:Solid State Communications
Título revista abreviado:Solid State Commun
ISSN:00381098
CODEN:SSCOA
Registro:https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/paper/document/paper_00381098_v4_n6_p271_Chaves

Citas:

---------- APA ----------
Chaves, C.M., Majlis, N. & Cardona, M. (1966) . Electronic surface states in germanium and silicon. Solid State Communications, 4(6), 271-274.
http://dx.doi.org/10.1016/0038-1098(66)90450-9
---------- CHICAGO ----------
Chaves, C.M., Majlis, N., Cardona, M. "Electronic surface states in germanium and silicon" . Solid State Communications 4, no. 6 (1966) : 271-274.
http://dx.doi.org/10.1016/0038-1098(66)90450-9
---------- MLA ----------
Chaves, C.M., Majlis, N., Cardona, M. "Electronic surface states in germanium and silicon" . Solid State Communications, vol. 4, no. 6, 1966, pp. 271-274.
http://dx.doi.org/10.1016/0038-1098(66)90450-9
---------- VANCOUVER ----------
Chaves, C.M., Majlis, N., Cardona, M. Electronic surface states in germanium and silicon. Solid State Commun. 1966;4(6):271-274.
http://dx.doi.org/10.1016/0038-1098(66)90450-9