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Abstract:

A numerical model was used to show the effect of confinement and surface roughness (SR) on the magnitude of persistent currents in ballistic bidimensional metallic samples. The model also shows that localized border states contributes to the enhancement of persistent current magnitude with respect to their value in the absence of confinement.

Registro:

Documento: Artículo
Título:Enhancement of persistent currents due to confinement in metallic samples
Autor:Apel, V.M.; Chiappe, G.; Sánchez, M.J.
Filiación:Departamento de Física J. J. Giambiagi, Facultad de Ciencias Exactas y Naturales, Universidad de Buenos Aires, Ciudad Universitaria, 1428 Buenos Aires, Argentina
Palabras clave:Electron energy levels; Mathematical models; Metals; Surface roughness; Confinement; Persistent current; Electric currents
Año:2000
Volumen:85
Número:19
Página de inicio:4152
Página de fin:4155
DOI: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.85.4152
Título revista:Physical Review Letters
Título revista abreviado:Phys Rev Lett
ISSN:00319007
Registro:https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/paper/document/paper_00319007_v85_n19_p4152_Apel

Referencias:

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Citas:

---------- APA ----------
Apel, V.M., Chiappe, G. & Sánchez, M.J. (2000) . Enhancement of persistent currents due to confinement in metallic samples. Physical Review Letters, 85(19), 4152-4155.
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.85.4152
---------- CHICAGO ----------
Apel, V.M., Chiappe, G., Sánchez, M.J. "Enhancement of persistent currents due to confinement in metallic samples" . Physical Review Letters 85, no. 19 (2000) : 4152-4155.
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.85.4152
---------- MLA ----------
Apel, V.M., Chiappe, G., Sánchez, M.J. "Enhancement of persistent currents due to confinement in metallic samples" . Physical Review Letters, vol. 85, no. 19, 2000, pp. 4152-4155.
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.85.4152
---------- VANCOUVER ----------
Apel, V.M., Chiappe, G., Sánchez, M.J. Enhancement of persistent currents due to confinement in metallic samples. Phys Rev Lett. 2000;85(19):4152-4155.
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.85.4152