Resumen:

El presente trabajo aborda el estudio teórico del número de portadores de carga ne,h y de la resistencia eléctrica de un sistema de punto cuántico de grafeno; con este fin se parte de la densidad de estados de sistemas 0D que se representa por medio de la función delta de Dirac y se consideran los niveles de energía para un modelo de punto cuántico de grafeno sometido a un potencial constante V₀ los resultados muestran una influencia de parámetros propios del modelo como la longitud magnética lB, el tamaño del punto cuántico R y de la energía de Fermi EF a T → 0. Mientras que para la resistencia eléctrica se propone que la conducción de las cuasipartículas se da en el borde del punto cuántico debido a la influencia de campos magnéticos fuertes y del acople spin-orbita, lo que permite hallar la corriente eléctrica por estado cuántico y a su vez la corriente eléctrica total al conocer el número de estados cuánticos permitidos en un ∆E; los valores de resistencia eléctrica dan en el orden de KΩ, lo que concuerda con estudios experimentales reportados en la literatura y además se resalta la dependencia con el tamaño del punto R y el campo magnético lB.

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