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Garcés, Felipe Andrés; Acquaroli, Leandro Nicolás; Dussán Cuenca, Anderson; Koropecki, Roberto Román; Arce, Roberto Delio "Junturas Si-poroso/SnO2:F. Efecto del dopaje en las propiedades eléctricas y estructurales" (2010). Anales AFA. 22(02): pp. 32-36

Resumen:

En este trabajo se presentan resultados de la caracterización eléctrica y estructural de junturas del tipo Schottky, obtenidas a través de la deposición de SnO2:F sobre silicio poroso, utilizando la vía Sol-Gel como mecanismo de deposición. Parámetros estructurales del SnO2, como el parámetro de red y el tamaño de cristal fueron relacionados con la concentración del dopante. También se analizaron los efectos de este dopante (F) sobre algunas propiedades eléctricas como: la resistencia en serie, factor de idealidad, corriente de saturación inversa y corriente foto generada

Abstract:

In this work we present the electrical and structural characterization of a Schottky junction obtained through the deposition of SnO2:F on porous silicon, using the sol-gel as a deposition method. Two fundamental structural parameters of SnO2, the lattice parameter and the crystallite size, were studied in correlation with the dopant concentration. We analyzed the effects of the dopant (F) on the electrical properties of the junction, such as series resistance, ideality factor, reverse saturation current and photogenerated current.

Registro:

Título:Junturas Si-poroso/SnO2:F. Efecto del dopaje en las propiedades eléctricas y estructurales
Título alt:Porous silicon/SnO2:F junction. Effect of doping on the electrical and structural properties
Autor:Garcés, Felipe Andrés; Acquaroli, Leandro Nicolás; Dussán Cuenca, Anderson; Koropecki, Roberto Román; Arce, Roberto Delio
Fecha:2010
Título revista:Anales AFA
Editor:Asociación Física Argentina
Handle: http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v22_n02_p032
Ciudad:Villa Martelli, Buenos Aires
Idioma:Español
Palabras clave:DIODO SCHOTTKY; SILICIO POROSO; TCO; SOL-GEL
Keywords:SCHOTTKY DIODE; POROUS SILICON; TCO; SOL-GEL
Año:2010
Volumen:22
Número:02
DOI:https://doi.org/10.31527/analesafa.2011.22.2.32
Título revista abreviado:An. (Asoc. Fís. Argent., En línea)
ISSN:1850-1168
Formato:PDF
PDF:https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v22_n02_p032.pdf
Registro:https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v22_n02_p032

Citas:

---------- APA ----------
Garcés, Felipe Andrés, Acquaroli, Leandro Nicolás, Dussán Cuenca, Anderson, Koropecki, Roberto Román & Arce, Roberto Delio(2010). Porous silicon/SnO2:F junction. Effect of doping on the electrical and structural properties. Anales AFA, 22(02), 32-36.https://doi.org/10.31527/analesafa.2011.22.2.32
---------- CHICAGO ----------
Garcés, Felipe Andrés, Acquaroli, Leandro Nicolás, Dussán Cuenca, Anderson, Koropecki, Roberto Román, Arce, Roberto Delio. "Porous silicon/SnO2:F junction. Effect of doping on the electrical and structural properties" . Anales AFA 22, no. 02 (2010): 32-36.https://doi.org/10.31527/analesafa.2011.22.2.32
---------- MLA ----------
Garcés, Felipe Andrés, Acquaroli, Leandro Nicolás, Dussán Cuenca, Anderson, Koropecki, Roberto Román, Arce, Roberto Delio. "Porous silicon/SnO2:F junction. Effect of doping on the electrical and structural properties" . Anales AFA, vol. 22, no. 02, 2010, pp. 32-36, https://doi.org/10.31527/analesafa.2011.22.2.32
---------- VANCOUVER ----------
Garcés, Felipe Andrés, Acquaroli, Leandro Nicolás, Dussán Cuenca, Anderson, Koropecki, Roberto Román, Arce, Roberto Delio. Porous silicon/SnO2:F junction. Effect of doping on the electrical and structural properties. An. (Asoc. Fís. Argent., En línea). 2010;22(02): 32-36 . Available from: https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v22_n02_p032