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Smetniansky-De Grande, N.; Alurralde, Martín; Fernández, Julián Roberto "Modelado de la evolución de defectos puntuales en Si" (2009). Anales AFA. 21(01): pp. 179-182

Resumen:

En este trabajo se estudia la movilidad y aglomeración de vacancias, utilizando la técnica de Monte Carlo cinético, en la red cristalina del Si a temperaturas relativamente bajas. En una primera etapa se utiliza el algoritmo de Metrópolis para simular el proceso de nucleación y crecimiento de aglomerados. En una segunda etapa se reemplaza éste por el algoritmo de Bortz, Kalos y Lebowitz que permite acelerar los tiempos de simulación cuando el algoritmo anterior se hace ineficiente. Los resultados obtenidos con la aplicación de ambos algoritmos se comparan con los correspondientes a un trabajo previo basado en un modelo de evolución en el continuo

Abstract:

In this work, the mobility and clustering of vacancies in Si is studied using kinetic Monte Carlo technique at relatively low temperatures. In a first stage the Metropolis algorithm is used to simulate the clusters nucleation and growth. In a second stage the latter is replaced by the algorithm of Bortz, Kalos and Lebowiz that allows to accelerate the simulation time when the former algorithm becomes inefficient. Results obtained from the application of both algorithms are compared with those corresponding to a previous work based on an evolution model in the continuum

Registro:

Título:Modelado de la evolución de defectos puntuales en Si
Título alt:Modeling of point defects evolution in Si
Autor:Smetniansky-De Grande, N.; Alurralde, Martín; Fernández, Julián Roberto
Fecha:2009
Título revista:Anales AFA
Editor:Asociación Física Argentina
Handle: http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v21_n01_p179
Ciudad:Villa Martelli, Buenos Aires
Idioma:Español
Palabras clave:VACANCIAS; AGLOMERACION; SILICIO; MONTE CARLO
Keywords:VACANCIES; CLUSTERING; SILICON; MONTE CARLO
Año:2009
Volumen:21
Número:01
DOI:https://doi.org/10.31527/analesafa.2010.21.179
Título revista abreviado:An. (Asoc. Fís. Argent., En línea)
ISSN:1850-1168
Formato:PDF
PDF:https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v21_n01_p179.pdf
Registro:https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v21_n01_p179

Citas:

---------- APA ----------
Smetniansky-De Grande, N., Alurralde, Martín & Fernández, Julián Roberto(2009). Modeling of point defects evolution in Si. Anales AFA, 21(01), 179-182.https://doi.org/10.31527/analesafa.2010.21.179
---------- CHICAGO ----------
Smetniansky-De Grande, N., Alurralde, Martín, Fernández, Julián Roberto "Modeling of point defects evolution in Si" . Anales AFA 21, no. 01 (2009): 179-182.https://doi.org/10.31527/analesafa.2010.21.179
---------- MLA ----------
Smetniansky-De Grande, N., Alurralde, Martín, Fernández, Julián Roberto "Modeling of point defects evolution in Si" . Anales AFA, vol. 21, no. 01, 2009, pp. 179-182, https://doi.org/10.31527/analesafa.2010.21.179
---------- VANCOUVER ----------
Smetniansky-De Grande, N., Alurralde, Martín, Fernández, Julián Roberto Modeling of point defects evolution in Si. An. (Asoc. Fís. Argent., En línea). 2009;21(01): 179-182 . Available from: https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v21_n01_p179