Por medio de la luz confinada en microcavidades ópticas, se logró un fuerte aumento de la fotoconductividad eléctrica a una determinada longitud de onda en nanoestructuras de silicio poroso (SP). Para las medidas de conducción se fabricó un dispositivo tipo sándwich, donde la microcavidad está entre un electrodo transparente de SnO₂ y uno de Al. La conductividad eléctrica fue medida en función de la energía del fotón. Como resultado de la localización de fotones en el defecto óptico, se obtiene un fuerte aumento de la conductancia en un estrecho pico alcanzando un máximo a la energía de resonancia. Se presentan los resultados de la dependencia angular de la energía del pico de fotoconducción, y se propone una explicación de la conductividad soportado por cálculos del campo electromagnético dentro de la microcavidad
We used light confinement in optical microcavities to achieve a strong enhancement and a precise wavelength tunability of the electrical photoconductance of nanostructured porous silicon (PS). The devices were transferred to a glass coated with a transparent SnO₂ electrode, while an Al contact was evaporated on its back side. The electrical conductance was measured as a function of the photon energy. A strong enhancement of the conductance is obtained in a narrow band peaking at the resonance. We present experimental results of the angular dependence of this photoconductance peak energy, and propose an explanation of the conductivity behaviour supported by calculations of the internal electromagnetic field
Título: | Aumento de la fotoconductividad y sintonización fina de la respuesta en microcavidades de silicio poroso nanoestructurado |
Título alt: | Enhanced photoconductivity and fine response tuning in nanostructured porous silicon microcavities |
Autor: | Urteaga, Raúl; Marín, Oscar; Acquaroli, Leandro Nicolás; Comedi, David Mario; Schmidt, Javier Alejandro; Koropecki, Roberto Román |
Fecha: | 2008 |
Título revista: | Anales AFA |
Editor: | Asociación Física Argentina |
Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v20_n01_p110 |
Ciudad: | Villa Martelli, Buenos Aires |
Idioma: | Español |
Palabras clave: | SILICIO POROSO NANOESTRUCTURADO; MICROCAVIDADES OPTICAS; FOTOCONDUCTIVIDAD |
Keywords: | NANOSTRUCTURED POROUS SILICON; OPTICAL MICROCAVITIES; PHOTOCONDUCTIVITY |
Año: | 2008 |
Volumen: | 20 |
Número: | 01 |
Título revista abreviado: | An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) |
ISSN: | 1850-1168 |
Formato: | |
PDF: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v20_n01_p110.pdf |
Registro: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v20_n01_p110 |