En este trabajo se presentan resultados de espectroscopía de emisión de electrones secundarios inducida por electrones, en muestras de silicio poroso nanoestructurado. Cuando se emplea un proceso adecuado de preparación del material, el bombardeo iónico modifica en forma reversible los espectros de emisión electrónica. Se estudia la respuesta temporal de esta modificación, tanto para muestras recién preparadas como para muestras sometidas a distintos tiempos de oxidación. Se presentan resultados para muestras tanto tipo p como n parcialmente oxidadas. Cuando se utiliza silicio tipo n y se somete a las muestras anodizadas a un proceso de oxidación por un tiempo suficientemente largo, las modificaciones inducidas por bombardeo iónico son completamente reversibles. Los resultados se interpretan en términos de un modelo que tiene en cuenta por un lado el comportamiento de la pérdida de energía de iones y electrones, que conduce a la formación de dipolos, y por otro lado el efecto del bombardeo electrónico en la composición química de la superficie de la nanoestructura
Electron induced secondary electron emission spectroscopy results for nanostructured silicon samples are presented. When the material is appropriately prepared, the ionic bombardment modifies the electron emission spectra in a reversible way. We study the time response of the modifications, for freshly prepared samples as well as for samples oxidized during different times. Results for both n and p-type partially oxidized nanostructured porous silicon samples are presented. The modification is completely reversible for n-type based nanoporous silicon oxidized during a long enough time. The results can be understood in terms of a model which takes into account on one side the dipole formation due to the electron and ion kinetic energy loss behavior, and the electron bombardment effect on pores surface chemical composition on the other side
Título: | Efecto de la oxidación de silicio nanoporoso sobre la emisión de electrones secundarios |
Título alt: | Oxidation effect over secondary electron emission of nanoporous silicon |
Autor: | Ruano Sandoval, Gustavo Daniel; Ferrón, Julio; Koropecki, Roberto Román |
Fecha: | 2008 |
Título revista: | Anales AFA |
Editor: | Asociación Física Argentina |
Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v20_n01_p104 |
Ciudad: | Villa Martelli, Buenos Aires |
Idioma: | Español |
Palabras clave: | SILICIO POROSO; EMISION ELECTRONICA; NANOESTRUCTURA |
Keywords: | POROUS SILICON; ELECTRONIC EMISSION; NANOSTRUCTURE |
Año: | 2008 |
Volumen: | 20 |
Número: | 01 |
Título revista abreviado: | An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) |
ISSN: | 1850-1168 |
Formato: | |
PDF: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v20_n01_p104.pdf |
Registro: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v20_n01_p104 |