Presentamos una técnica de medición de reflectancia en tiempo real para analizar, en el transcurso del anodizado electroquímico de Silicio, el crecimiento de una Película de Silicio Poroso (PSP). Empleando además la determinación independiente del espectro de reflectancia de la PSP seca, logramos correlacionar la porosidady el espesor de la película con la densidad de corriente del anodizado. Esta información es útil para diseñar espejos dieléctricos con una sintonización óptima de su banda de reflexión
We present a technique of measurement of reflectance in real time to analyze, in the course of the electrochemical etching of Silicon, the growth of Silicon Porous Film (SPF). Using in addition the independent determination of the reflectance spectrum from the dry PSP, we manage to correlate the porosity and the thick-ness of the film with current density of anodization. This information is useful to design dielectric mirrors withan optimal tuning of its band of reflection
| Título: | Propiedades ópticas in situ de sistemas de capas múltiples nanoestructuradas |
| Autor: | Toranzos, Víctor José; Ortiz, Guillermo Pablo; Busso, Arturo Juan; Koropecki, Roberto Román |
| Fecha: | 2008 |
| Título revista: | Anales AFA |
| Editor: | Asociación Física Argentina |
| Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v20_n01_p065 |
| Ciudad: | Villa Martelli, Buenos Aires |
| Idioma: | Español |
| Año: | 2008 |
| Volumen: | 20 |
| Número: | 01 |
| Título revista abreviado: | An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) |
| ISSN: | 1850-1168 |
| Formato: | |
| PDF: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v20_n01_p065.pdf |
| Registro: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v20_n01_p065 |
