Artículo

Smetniansky-De Grande, N.; Alurralde, Martín; Fernández, Julián Roberto "Dinámica de clusters de vacancias en silicio" (2007). Anales AFA. 19(01): pp. 141-145

Resumen:

Se estudia la dinámica de aglomerados de vacancias en Silicio utilizando un modelo computacional en la aproximación del continuo. El modelo considera que las vacancias, generadas por activación térmica o por irradiación, pueden difundir y agruparse formando aglomerados y que la variación del tamaño de estos últimos se debe a la absorción o emisión de una vacancia por vez. Se analiza la evolución temporal de la distribución de tamaños de aglomerados y su dependencia con la irradiación y la temperatura. Los resultados muestran que aún a temperaturas relativamente bajas (100°C) y a bajos valores de irradiación, la aglomeración de vacancias se ve favorecida por la irradiación de protones.

Abstract:

The vacancy cluster dynamics in Silicon is studied, in a continuum approximation, using computational models. The model assumes that vacancies, created under thermal activation or under irradiation, migrate and recombine creating clusters and that the dimensional changes of these clusters are due to the absorption or emission of one vacancy. The temporal evolution of the cluster size distribution and its dependence on irradiation and temperature are analyzed. The results show that even at relatively low temperatures (100°C) and low irradiation values, vacancy clustering is enhanced under proton irradiation

Registro:

Título:Dinámica de clusters de vacancias en silicio
Título alt:Vacancy cluster dynamics in silicon
Autor:Smetniansky-De Grande, N.; Alurralde, Martín; Fernández, Julián Roberto
Fecha:2007
Título revista:Anales AFA
Editor:Asociación Física Argentina
Handle: http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v19_n01_p141
Ciudad:Villa Martelli, Buenos Aires
Idioma:Español
Palabras clave:DINAMICA DE AGLOMERADOS DE VACANCIAS; DEFECTOS PUNTUALES; SIMULACION POR COMPUTADORA; SILICIO
Keywords:VACANCY CLUSTER DYNAMICS; POINT DEFECTS; COMPUTER SIMULATION; SILICON
Año:2007
Volumen:19
Número:01
Título revista abreviado:An. (Asoc. Fís. Argent., En línea)
ISSN:1850-1168
Formato:PDF
PDF:https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v19_n01_p141.pdf
Registro:https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v19_n01_p141

Citas:

---------- APA ----------
Smetniansky-De Grande, N., Alurralde, Martín & Fernández, Julián Roberto(2007). Vacancy cluster dynamics in silicon. Anales AFA, 19(01), 141-145.
---------- CHICAGO ----------
Smetniansky-De Grande, N., Alurralde, Martín, Fernández, Julián Roberto "Vacancy cluster dynamics in silicon" . Anales AFA 19, no. 01 (2007): 141-145.
---------- MLA ----------
Smetniansky-De Grande, N., Alurralde, Martín, Fernández, Julián Roberto "Vacancy cluster dynamics in silicon" . Anales AFA, vol. 19, no. 01, 2007, pp. 141-145.
---------- VANCOUVER ----------
Smetniansky-De Grande, N., Alurralde, Martín, Fernández, Julián Roberto Vacancy cluster dynamics in silicon. An. (Asoc. Fís. Argent., En línea). 2007;19(01): 141-145 . Available from: https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v19_n01_p141