En este trabajo realizamos un estudio por Espectroscopía Infrarroja y Fotoluminiscencia de los efectos fotoinducidos en muestras de Silicio Poroso. Las muestras fueron obtenidas por ataque electroquímico de obleas de silicio cristalino de distintos tipos. Para el material tipo p se obtuvieron resultados coincidentes con los ya reportados en otros trabajos de nuestro grupo, que pueden interpretarse en base a la oxidación fotoinducida de las muestras. Los efectos de confinamiento cuántico cambian en forma discreta el espectro de luminiscencia cuando se produce la oxidación de la estructura de "alambres cuánticos" que conforma al silicio poroso. En el material tipo n de alta resistividad, se observa una disminución gradual de la intensidad de luminiscencia, que es atribuida a la generación fotoinducida de estados de defecto en la capa superficial que rodea a los alambres cuánticos. Este modelo explica cuantitativamente bien la cinética de evolución de los espectros medidos de fotoluminiscencia y resonancia paramagnética electrónica
In this work we study photoinduced effects in Porous Silicon samples by using Infrared Spectroscopy and Photoluminescence. Samples have been obtained by electrochemical etching of crystalline silicon wafers of different types. For the p-type material we have obtained results coincident with those reported in previous papers from our group, which can be explained due to photoinduced oxidation of the samples. Quantum confinement effects change discretely the luminescence spectra when oxidation takes place at the structure of “quantum wires” that conforms porous silicon. For the n-type material, a progressive decrease of the luminescence intensity is observed, which is attributed to the photoinduced generation of defect states at the surface layer surrounding the quantum wires. This model explains quantitatively well the kinetics of the evolution of the measured photoluminescence and electronic paramagnetic resonance spectra
| Título: | Decaimiento de la fotoluminiscencia en silicio poroso nanoestructurado obtenido a partir de material tipo n de alta resistividad |
| Autor: | Olmos, Graciela Viviana; Spies, Cecilia Andrea; Koropecki, Roberto Román; Arce, Roberto Delio; Schmidt, Javier Alejandro |
| Fecha: | 2004 |
| Título revista: | Anales AFA |
| Editor: | Asociación Física Argentina |
| Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v16_n01_p161 |
| Ciudad: | Villa Martelli, Buenos Aires |
| Idioma: | Español |
| Año: | 2004 |
| Volumen: | 16 |
| Número: | 01 |
| Título revista abreviado: | An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) |
| ISSN: | 1850-1168 |
| Formato: | |
| PDF: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v16_n01_p161.pdf |
| Registro: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v16_n01_p161 |
