Se caracterizó la respuesta eléctrica al hidrógeno gaseoso de dispositivos MOS con compuerta de molibdeno. La sensibilidad del dispositivo se evaluó mediante características de capacidad-tensión en N₂ y en H₂ (1000 ppm en N₂) a temperaturas de 77 y 125 °C, a 220 kHz. A 125oC el corrimiento negativo de la tensión de banda plana es de 240 mV, con un estímulo de 1000 ppm de H₂ en N₂.
The electrical response of molybdenum gate MOS device to gaseous hydrogen was characterized. Device sensitivity, at 77°C and 125°C, was evaluated by shifts in the C-V characteristic, in controlled N₂ and 1000ppm H₂ in N₂ atmospheres, at 220 kHz. Capacitance changes, monitored as a function of time, at flat-band voltage (FBV), were used to evaluate the FBV negative shift transient (240mV) with 1000 ppm H₂ in N₂, at 125°C.
| Título: | Sensibilidad a H₂ de dispositivos MOS con compuerta de molibdeno |
| Autor: | Lombardi, Rina Marta Ana; Aragón, Roberto |
| Fecha: | 2003 |
| Título revista: | Anales AFA |
| Editor: | Asociación Física Argentina |
| Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v15_n01_p182 |
| Ciudad: | Villa Martelli, Buenos Aires |
| Idioma: | Español |
| Año: | 2003 |
| Volumen: | 15 |
| Número: | 01 |
| Título revista abreviado: | An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) |
| ISSN: | 1850-1168 |
| Formato: | |
| PDF: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v15_n01_p182.pdf |
| Registro: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v15_n01_p182 |
