Se realizaron medidas de conductividad en un gran número de películas delgadas de silicio microcristalino con características de semiconductor intrínseco y tipo p dopado con boro. En todas ellas la conductividad en función de la inversa de la temperatura presentó un comportamiento de los portadores térmicamente activado, con energías de activación constante en todo el rango estudiado. Siguiendo el método propuesto por Godet, se estableció que el mecanismo de transporte electrónico predominante para este conjunto de diferentes muestras es el de hoppping de rango fonónico variable
Conductivity measurements of a great number of intrinsic microcrystalline Silicon thin films as well as p type doped with Boron were done. Conductivity as a function of the inverse of temperature showed a thermally activated behavior of electric carriers with constant activation energy in all the range studied. Following the method proposed by Godet, the predominant electronic transport mechanism for this group of different films was established, being a phononic variable range hopping Using classical equations of Percolation Theory, the density of states near the Fermi level was calculated obtaining values that are consistent with the results of other independent experiments
| Título: | Interpretación de los mecanismos de transporte en silicio microcristalino intrínseco y dopado |
| Autor: | Concari, Sonia Beatriz; Buitrago, Román Horacio |
| Fecha: | 2002 |
| Título revista: | Anales AFA |
| Editor: | Asociación Física Argentina |
| Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v14_n01_p235 |
| Ciudad: | Villa Martelli, Buenos Aires |
| Idioma: | Español |
| Año: | 2002 |
| Volumen: | 14 |
| Número: | 01 |
| Título revista abreviado: | An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) |
| ISSN: | 1850-1168 |
| Formato: | |
| PDF: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v14_n01_p235.pdf |
| Registro: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v14_n01_p235 |
