Navegar

Colección

Datos Estadísticas

Artículo

Resumen:

En este trabajo estudiamos el intercambio de impurezas donoras Hf en sitios sustitucionales de catión del semiconductor de ancho gap C-Tm₂O₃. El proceso de dopaje se realizó por reacción en fase sólida, asistida por molido mecánico, de m-HfO₂ (activado por irradiación neutrónica) y de C-Tm₂O₃. Atomos ¹⁸¹Ta, obtenidos en el decaimiento ẞ del ¹⁸¹Hf (indistinguible de los átomos de Hf inactivos desde el punto de vista del intercambio iónico), fueron utilizados como sondas en los experimentos de Correlaciones Angulares Perturbadas Diferenciales en Tiempo realizados luego de cada etapa del proceso de dopaje. Las interacciones hiperfinas medidas en sitios ¹⁸¹Ta permitieron la caracterización del gradiente de campo eléctrico (GCE) en sitios representativos de la localización del Hf en cada etapa del proceso. La eficiencia y el carácter sustitucional del proceso de intercambio es discutido y demostrado a la luz de una sistemática establecida para GCEs en óxidos de tierras raras isoestructurales (bixhitas)

Abstract:

The ionic exchange of donor Hf impurities at substitutional cationic sites of the cubic (bixbyite) phase of the wide- gap semiconductor C-Tm₂O₃ was studied. The doping process was performed by ball-milling-assisted solid-state reaction of neutron-activated m-HfO₂ and C-Tm₂O₃. ¹⁸¹Ta atoms, obtained by B-decay of the ¹⁸¹Hf-isotope, were used as probes in Time-Differential Perturbed-Angular-Correlation experiments carried out after each step of the doping process. The measured hyperfine interactions at ¹⁸¹Ta sites enabled the electric-field gradient (EFG) characterization at representative Hf sites of each step of the process. The efficiency and substitutional character of the exchange process is discussed and elucidated in the frame of an empirical EFG systematics established in isostructural rare-earth oxides (bixbyites

Registro:

Título:Intercambio por reacción en fase sólida de impurezas Hf en sitios de catión del semiconductor de ancho gap C-Tm₂O₃
Autor:Darriba, Germán Nicolás; Errico, Leonardo Antonio; Rentería, Mario
Fecha:2002
Título revista:Anales AFA
Editor:Asociación Física Argentina
Handle: http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v14_n01_p218
Ciudad:Villa Martelli, Buenos Aires
Idioma:Español
Año:2002
Volumen:14
Número:01
Título revista abreviado:An. (Asoc. Fís. Argent., En línea)
ISSN:1850-1168
Formato:PDF
PDF:https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v14_n01_p218.pdf
Registro:https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v14_n01_p218

Citas:

---------- APA ----------
Darriba, Germán Nicolás, Errico, Leonardo Antonio & Rentería, Mario(2002). Intercambio por reacción en fase sólida de impurezas Hf en sitios de catión del semiconductor de ancho gap C-Tm₂O₃. Anales AFA, 14(01), 218-221.
---------- CHICAGO ----------
Darriba, Germán Nicolás, Errico, Leonardo Antonio, Rentería, Mario. "Intercambio por reacción en fase sólida de impurezas Hf en sitios de catión del semiconductor de ancho gap C-Tm₂O₃" . Anales AFA 14, no. 01 (2002): 218-221.
---------- MLA ----------
Darriba, Germán Nicolás, Errico, Leonardo Antonio, Rentería, Mario. "Intercambio por reacción en fase sólida de impurezas Hf en sitios de catión del semiconductor de ancho gap C-Tm₂O₃" . Anales AFA, vol. 14, no. 01, 2002, pp. 218-221.
---------- VANCOUVER ----------
Darriba, Germán Nicolás, Errico, Leonardo Antonio, Rentería, Mario. Intercambio por reacción en fase sólida de impurezas Hf en sitios de catión del semiconductor de ancho gap C-Tm₂O₃. An. (Asoc. Fís. Argent., En línea). 2002;14(01): 218-221 . Available from: https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v14_n01_p218