Se presenta un estudio de la DOS de semiconductores en película delgada a partir del Método de la Fotocorriente Modulada (MPC). Se utilizó como fuente de luz un láser de HeNe de 10mW modulando 12.5% en intensidad mediante un modulador electro-óptico. Se realizaron mediciones sobre muestras de a-Si:Hy μc-Si:H, para altas (G≅10²¹cmˉ³sˉ¹) y bajas (G≅101cm3s1) intensidades de luz. Se obtienen, mediante un "Lock-in", valores de la fotocorriente modulada y el retardo de fase en función de la frecuencia. Se muestra que los tiempos de recombinación de portadores se pueden inferir de medidas de MPC en el limite de bajas frecuencias y altas intensidades. El espectro de la DOS, en la parte superior del "gap", se obtiene a partir de estas mediciones y de mediciones de fotoconductividad. Se comparan estos resultados con los obtenidos a través de otros métodos observándose una buena concordancia entre ellos. Los resultados alcanzados son comparables con los obtenidos por métodos alternativos. Se discuten ventajas y limitaciones del método propuesto para la determinación de la DOS
| Título: | Determinación de la densidad de defectos en el "gap" de semiconductores en película delgada por técnicas de modulación de fotoconductividad |
| Autor: | Dussan Cuenca, Anderson; Schmidt, Javier Alejandro; Arce, Roberto Delio; Koropecki, Roberto Román |
| Fecha: | 2001 |
| Título revista: | Anales AFA |
| Editor: | Asociación Física Argentina |
| Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v13_n01_p172 |
| Ciudad: | Villa Martelli, Buenos Aires |
| Idioma: | Español |
| Año: | 2001 |
| Volumen: | 13 |
| Número: | 01 |
| Título revista abreviado: | An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) |
| ISSN: | 1850-1168 |
| Formato: | |
| PDF: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v13_n01_p172.pdf |
| Registro: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v13_n01_p172 |
