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Lombardi, Rina Marta Ana; Palumbo, Félix; Redin, Eduardo Gabriel; Rus, Daniel; Faigón, Adrián Néstor "Carga positiva y estados de interfaz en estructuras MOS irradiadas gamma" (2000). Anales AFA. 12(01): pp. 283-286

Resumen:

Se han estudiado en este trabajo los corrimientos en la capacidad-tensión, y corriente tensión en transitores MOS irradiados con fuente gamma. Se analizaron los datos experimentales en términos de creación de carga positiva en el óxido y de estados electrónicos en la interfaz óxido-semiconductor, detallando las posibles combinaciones de carga y estados, consistentes con los resultados de las mediciones. Se destaca en todos los casos una relación estrecha entre la cantidad de carga positiva que aparece en el óxido tras la irradiación con la cantidad de estados aceptores en la interfaz. Se comparan estos análisis con los que surgen de la aplicación del método de “midgap

Abstract:

In these investigation we (search) studied shits on typical electrical measurements on MOS (like capacity and current) devices which were irradiated with gamma source of 60Co The analysis on measurements was related to creation of fixed charge and surfaces states at Si/SiO₂, then the contribution of each effect was specified to reproduce the experiment. Moreover, we used midgap method to comparative measurements

Registro:

Título:Carga positiva y estados de interfaz en estructuras MOS irradiadas gamma
Autor:Lombardi, Rina Marta Ana; Palumbo, Félix; Redin, Eduardo Gabriel; Rus, Daniel; Faigón, Adrián Néstor
Fecha:2000
Título revista:Anales AFA
Editor:Asociación Física Argentina
Handle: http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v12_n01_p283
Ciudad:Villa Martelli, Buenos Aires
Idioma:Español
Año:2000
Volumen:12
Número:01
Título revista abreviado:An. (Asoc. Fís. Argent., En línea)
ISSN:1850-1168
Formato:PDF
PDF:https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v12_n01_p283.pdf
Registro:https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v12_n01_p283

Citas:

---------- APA ----------
Lombardi, Rina Marta Ana, Palumbo, Félix, Redin, Eduardo Gabriel, Rus, Daniel & Faigón, Adrián Néstor(2000). Carga positiva y estados de interfaz en estructuras MOS irradiadas gamma. Anales AFA, 12(01), 283-286.
---------- CHICAGO ----------
Lombardi, Rina Marta Ana, Palumbo, Félix, Redin, Eduardo Gabriel, Rus, Daniel, Faigón, Adrián Néstor. "Carga positiva y estados de interfaz en estructuras MOS irradiadas gamma" . Anales AFA 12, no. 01 (2000): 283-286.
---------- MLA ----------
Lombardi, Rina Marta Ana, Palumbo, Félix, Redin, Eduardo Gabriel, Rus, Daniel, Faigón, Adrián Néstor. "Carga positiva y estados de interfaz en estructuras MOS irradiadas gamma" . Anales AFA, vol. 12, no. 01, 2000, pp. 283-286.
---------- VANCOUVER ----------
Lombardi, Rina Marta Ana, Palumbo, Félix, Redin, Eduardo Gabriel, Rus, Daniel, Faigón, Adrián Néstor. Carga positiva y estados de interfaz en estructuras MOS irradiadas gamma. An. (Asoc. Fís. Argent., En línea). 2000;12(01): 283-286 . Available from: https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v12_n01_p283