Cd-P forma pares en Silicio dando origen a gradientes de campo eléctricos (EFG) cuya intensidad y simetría dependen de la estructura del par y su estado de carga. Mediante métodos de estructura electrónica ab-initio, se determinó que el átomo sonda Cd forma par con el P con energías de enlace de 1.31 eV y posee dos estados de cargas (0 y -1) con muy diferentes EFG. Este par a su vez puede pasivarse eléctricamente enlazando con una energía de 1.30 eV a un segundo átomo de P (formando el complejo estable Cd-P₂ ). Los parámetros η, EFG calculados para Cd-p⁽⁰⁾, Cd-p⁽ˉ¹⁾ y Cd-P₂ muestran un muy buen acuerdo con observaciones experimentales
Título: | Complejos Cd-P en silicio |
Autor: | Casali, Ricardo Antonio; Caravaca, María de los Angeles |
Fecha: | 2000 |
Título revista: | Anales AFA |
Editor: | Asociación Física Argentina |
Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v12_n01_p276 |
Ciudad: | Villa Martelli, Buenos Aires |
Idioma: | Español |
Año: | 2000 |
Volumen: | 12 |
Número: | 01 |
Título revista abreviado: | An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) |
ISSN: | 1850-1168 |
Formato: | |
PDF: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v12_n01_p276.pdf |
Registro: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v12_n01_p276 |