Este trabajo se centra en determinar correlaciones entre las propiedades ópticas y de transporte eléctrico con las condiciones de deposición, de películas de silicio microcristalino preparadas sobre vidrio corning 7059 en un reactor de PECVD a alta frecuencia de R.F. La dilución en hidrógeno del gas silano usado como reactivo fue variada en el rango (2-6 %). La potencia de R.F., el flujo gaseoso, la presión total y la temperatura del sustrato fueron variadas dentro de un amplio rango. Las propiedades de tensión-comprensión de las películas resultaron ser muy sensibles a la temperatura del sustrato y flujo del gas. Para evitar que las películas se desprendieran del sustrato, se requirió un flujo gaseoso de 40 sscm y muy baja temperatura de deposición (~ 170 C), obteniéndose un material apto para uso fotovoltaico. Cada muestra fue caracterizada a través de mediciones de conductividad a oscuras, fotoconductividad, gap óptico, coeficiente de absorción, índice de refracción, espectro de dispersión Raman y espectro de transmitancia UV-Vis. Se obtuvieron películas de silicio con fracción de microcristalinidad superior al 80 %, conductividad a oscuras mayor que 10ˉ³ (Ωcm)ˉ¹, fotoconductividad muy estable bajo iluminación, y correlaciones interesantes entre grado de cristalinidad y coeficiente de absorción y conductividad
The focus of this work is to determine correlations among optical, electrical transport properties and deposition conditions of microcrystalline films deposited on corning 7059 glass by VHF-PECVD in a capacitive-coupled reactor. The hydrogen dilution of silane reactant gas used was varied in the range (2-6 %). The R.F. power, gas flow, total presion and substrate temperature were varied in a wide range. The tension-compression properties of the films showed to be very sensitive to substrate temperature and flow gas. To avoid films peeling low temperature (~ 170 C) and gas flow (40 sscm) were necessary. A material of suitable photovoltaic characteristics was obtained. Dark conductivity, photoconductivity, optic gap, absorption coefficient, refraction index, Raman spectroscopy and UV-Vis transmittance were used to characterize each sample. The films obtained have microcrystalline fraction greater than 80 %, dark conductivity higher than 10ˉ³ (Ωcm)ˉ¹, very stable photoconductivity, and interesting correlations among crystal size, absorption coefficient and dark conductivity
| Título: | Silicio microcristalino intrínseco depositado por PECVD de alta frecuencia a muy baja temperatura |
| Autor: | Concari, Sonia Beatriz; Buitrago, Román Horacio; Risso, Graciela; Cutrera, Miriam Edith; Battioni, Mario Rubén |
| Fecha: | 1999 |
| Título revista: | Anales AFA |
| Editor: | Asociación Física Argentina |
| Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v11_n01_p220 |
| Ciudad: | Villa Martelli, Buenos Aires |
| Idioma: | Español |
| Año: | 1999 |
| Volumen: | 11 |
| Número: | 01 |
| Título revista abreviado: | An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) |
| ISSN: | 1850-1168 |
| Formato: | |
| PDF: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v11_n01_p220.pdf |
| Registro: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v11_n01_p220 |
