El uso de compuertas de Pd poroso en capacitores MOS, promueve sensibilidad a NOₓ ambiente. La porosidad inducida por cambio de los parámetros de deposición durante sputtering D.C. fue caracterizada por microscopía electrónica de transmisión. La temperatura y el espesor de depósito tienen efectos opuestos sobre la porosidad; por encima de 200°C se induce epitaxia, inhibiendo la coalescencia y promoviendo porosidad a espesores mayores. La sensibilidad a NOₓ, manifiesta en el corrimiento de la tensión de banda plana de curvas C-V a valores menos negativos, aumenta significativamente para compuertas porosas de 20Å de espesor
The use of porous Pd gates in MOS capacitors, enhaces sensitivity to NOₓ in air. Porosity is promoted by controlled DC sputtering conditions and characterized by transmision electron microscopy. Deposition temperature and thickness have inverse effects on porosity; above 200°C epitaxy is induced, inhibiting coalescence and promoting porosity at higher thicknesses. Sensitivity to NOₓ, evidenced by the shift of C-V curves to less negative values, increases significantly for 20Å porous gates
Título: | Sensibilidad a NOₓ en sensores MOS de compuerta catalítica porosa |
Autor: | Filippini, Daniel; Aragón, Ricardo; Lamagna, Alberto; Willshaw, Peter |
Fecha: | 1998 |
Título revista: | Anales AFA |
Editor: | Asociación Física Argentina |
Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v10_n01_p317 |
Ciudad: | Villa Martelli, Buenos Aires |
Idioma: | Español |
Año: | 1998 |
Volumen: | 10 |
Número: | 01 |
Título revista abreviado: | An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) |
ISSN: | 1850-1168 |
Formato: | |
PDF: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v10_n01_p317.pdf |
Registro: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v10_n01_p317 |