En el marco de un estudio sobre daños por radiación en dispositivos Metal Oxido Semiconductor, se puso a punto un método para determinar la creación de estados de interfaz por la irradiación, a partir de la medición de la corriente subumbral en transistores y se lo comparó con el método convencional. Los resultados, para irradiaciones con fuente de 60Co con dosis integradas de 0.1 a 4 kGy. muestran una dependencia lineal entre el cuadrado del número de nuevos estados creados la dosis correspondiente. Del análisis de las características capacidad-voltaje, los estados creados serían del tipo donor
In the framework of a study about radiation damage on Metal Oxide Semiconductor devices, a technique for determining the surface state density based on measurements of the subthreshold current was implemented. The results, for gamma rays (60Co source) with integrated doses from 0.1 to 4 kGy, are comparable to those obtained by conventional methods, and show a linear dependence of the square of the amount of new surface states and the radiation doses. From the analysis of the capacitance-voltage curves, the new created states seem to be donors
| Título: | Aplicación del modelo de la corriente de subumbral para determinación de estados superficiales rápidos |
| Autor: | Lombardi, Rina Marta Ana; Redin, Eduardo Gabriel; Palumbo, Félix Roberto Mario; Boschan, Alejandro; Faigón, Adrián Néstor |
| Fecha: | 1998 |
| Título revista: | Anales AFA |
| Editor: | Asociación Física Argentina |
| Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v10_n01_p218 |
| Ciudad: | Villa Martelli, Buenos Aires |
| Idioma: | Español |
| Año: | 1998 |
| Volumen: | 10 |
| Número: | 01 |
| Título revista abreviado: | An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) |
| ISSN: | 1850-1168 |
| Formato: | |
| PDF: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v10_n01_p218.pdf |
| Registro: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v10_n01_p218 |
