El propósito de este trabajo es discriminar mecanismos de degradación de dispositivos MOS, luego de ser irradiados con rayos gamma. Se realizaron en forma previa y posterior a la irradiación mediciones características Capacidad vs. Voltaje, y Corriente de Sumidero vs. Tensión de puerta. El aparente efecto de recuperación observado en el seguimiento de los corrimientos de la tensión de encendido puede ser explicado mediante la combinación de dos fenomenos acumulativos: la carga en el óxido, y la creación de estados de interfaz durante la irradiación.
Radiation damage mechanisms on MOS device exposed to gamma rays, were investigated. The capacitance-voltage, and drain current characteristics were measured before and after several irradiation dosis. The analysis shows that the apparent turnaround effect suggested by the observation of the threshold voltage can be explained in terms of two accumulative effects: charge trapping at the oxide and interface states creation during the irradiation.
| Título: | Caracterización eléctrica de dispositivos MOSFET irradiados con fuente de ⁶⁰Co |
| Autor: | Lombardi, Rina Marta Ana; Redin, Eduardo Gabriel; Vercik, Andrés; Faigón, Adrián Néstor |
| Fecha: | 1997 |
| Título revista: | Anales AFA |
| Editor: | Asociación Física Argentina |
| Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v09_n01_p403 |
| Ciudad: | Villa Martelli, Buenos Aires |
| Idioma: | Español |
| Año: | 1997 |
| Volumen: | 09 |
| Número: | 01 |
| Título revista abreviado: | An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) |
| ISSN: | 1850-1168 |
| Formato: | |
| PDF: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v09_n01_p403.pdf |
| Registro: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v09_n01_p403 |
