Se presenta un estudio de las propiedades estáticas y dinámicas del Si semiconductor de estructura diamante cuando se dopa con impurezas sustitucionales del grupo IV. Se emplea para tal fin clusters de 71 a 281 átomos interactuando mediante constantes de fuerza de dos y tres cuerpos definidas en el modelo anarmónico de Keating. Con esta aproximación se presentan cálculos de las constantes de resorte de varios modos locales relevantes de vibración de la red cristalina. Se analizan las relajaciones radiales de las distintas capas que rodean al defecto y las variaciones de energía elástica experimentadas por la red inducida por la impureza.
Static and dynamic properties of Si have been studied when doped with substitutional impurities from group IV. Calculations were made using clusters of 71 to 281 atoms interacting with each other by means of two and three body force constants defined according to the anharmonic Keating model. With this approximation, elastic constants of several important local lattice vibrational modes were calculated. Radial relaxations of shells surrounding the defect and impurity induced elastic energy changes experimented by the crystal lattice were analized
| Título: | Estudio de las relajaciones alrededor de impurezas sustitucionales en semiconductores mediante el modelo anarmónico de Keating |
| Autor: | Casali, Ricardo Antonio; Mroginski, María Andrea |
| Fecha: | 1997 |
| Título revista: | Anales AFA |
| Editor: | Asociación Física Argentina |
| Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v09_n01_p156 |
| Ciudad: | Villa Martelli, Buenos Aires |
| Idioma: | Español |
| Año: | 1997 |
| Volumen: | 09 |
| Número: | 01 |
| Título revista abreviado: | An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) |
| ISSN: | 1850-1168 |
| Formato: | |
| PDF: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v09_n01_p156.pdf |
| Registro: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v09_n01_p156 |
