Artículo

Resumen:

En este trabajo se muestra que un modelo sencillo para la corriente de túnel a través del óxido de puerta en una estructura polySi-SiO₂-Si reproduce fielmente los transitorios de la corriente asociados al fenómeno de atrapamiento-desatrapamiento de carga en el aislante. El mismo se basa en una expresión modificada de la relación de túnel Fowler-Nordheim donde, el campo eléctrico catódico es reemplazado por el campo eléctrico dentro del aislante correspondiente a la energía del nivel de Fermi en el cátodo (Si). El estado de carga del óxido se obtiene a partir del corrimiento de la tensión de bandas planas inducido por la inyección de carga a tensión constante

Abstract:

In this work it is shown a simple model for the tunneling current through the gate oxide of a polySi-SiO2-Si structure that reproduces with great detail the current transitories associated with the charge trapping- detrapping phenomena occurring within the insulator. It is based on a modified Fowler-Nordheim tunneling expression, where the cathode electric field is substituted by the electric field at the insulator corresponding to the cathode Fermi energy (Si). The oxide state of charge is obtained from the flat band voltage shift induced by constant voltage charge injection

Registro:

Título:Transitorios en la corriente de túnel en estructuras polySi-SiO₂-Si asociados a la captura-liberación de carga en el aislante
Autor:Redin, Eduardo Gabriel; Miranda, Enrique A.; Faigón, Adrián Néstor
Fecha:1996
Título revista:Anales AFA
Editor:Asociación Física Argentina
Handle: http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v08_n01_p163
Ciudad:Villa Martelli, Buenos Aires
Idioma:Español
Año:1996
Volumen:08
Número:01
Título revista abreviado:An. (Asoc. Fís. Argent., En línea)
ISSN:1850-1168
Formato:PDF
PDF:https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v08_n01_p163.pdf
Registro:https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v08_n01_p163

Citas:

---------- APA ----------
Redin, Eduardo Gabriel, Miranda, Enrique A. & Faigón, Adrián Néstor(1996). Transitorios en la corriente de túnel en estructuras polySi-SiO₂-Si asociados a la captura-liberación de carga en el aislante. Anales AFA, 08(01), 163-165.
---------- CHICAGO ----------
Redin, Eduardo Gabriel, Miranda, Enrique A., Faigón, Adrián Néstor. "Transitorios en la corriente de túnel en estructuras polySi-SiO₂-Si asociados a la captura-liberación de carga en el aislante" . Anales AFA 08, no. 01 (1996): 163-165.
---------- MLA ----------
Redin, Eduardo Gabriel, Miranda, Enrique A., Faigón, Adrián Néstor. "Transitorios en la corriente de túnel en estructuras polySi-SiO₂-Si asociados a la captura-liberación de carga en el aislante" . Anales AFA, vol. 08, no. 01, 1996, pp. 163-165.
---------- VANCOUVER ----------
Redin, Eduardo Gabriel, Miranda, Enrique A., Faigón, Adrián Néstor. Transitorios en la corriente de túnel en estructuras polySi-SiO₂-Si asociados a la captura-liberación de carga en el aislante. An. (Asoc. Fís. Argent., En línea). 1996;08(01): 163-165 . Available from: https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v08_n01_p163