Mediante el uso de Espectroscopía de Electrones Auger (EEA) y Análisis de Componentes Principales (ACP), estudiamos el crecimiento de las interfases K/GaAs, K/Si y K/Cu a temperatura ambiente. El ACP de la línea Auger del K, en el caso de K/GaAs, revela la existencia de tres componentes puras. El desdoblamiento, sin cambio de forma, de la línea correspondiente a las dos primeras componentes sugiere la formación de complejos alcalinos de diferente tamaño en la superficie. El cambio de forma de la línea correspondiente a la tercer componente, sugiere la existencia de una reacción química en la interfase K/GaAs. Las interfases K/Si y K/Cu, por el contrario, presentan solo las dos componentes correspondiente al desdoblamiento, sugiriendo interfases no reactivas
Título: | Estudio de las interfases álcali - semiconductor y álcali - metal usando espectroscopía Auger y análisis de componentes principales |
Autor: | Passeggi, Mario César Guillermo; Vaquila, Isidoro; Vidal, Ricardo Alberto; Ferrón, Julio |
Fecha: | 1995 |
Título revista: | Anales AFA |
Editor: | Asociación Física Argentina |
Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v07_n01_p176 |
Ciudad: | Villa Martelli, Buenos Aires |
Idioma: | Español |
Año: | 1995 |
Volumen: | 07 |
Número: | 01 |
Título revista abreviado: | An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) |
ISSN: | 1850-1168 |
Formato: | |
PDF: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v07_n01_p176.pdf |
Registro: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v07_n01_p176 |