Se presentan resultados autoconsistentes de la estructura electrónica del Cs₂Au₂Cl₆ en función de la presión, obtenidos con el método full potential LMTO. A presión atmosférica el compuesto presenta un comportamiento semiconductor, mientras que en la fase de alta presión, obtenemos un comportamiento metálico, en un todo de acuerdo con la información experimental. A partir de un análisis detallado de los resultados a medida que varía la presión, se dan argumentos que permiten entender la transición semiconductor-metal observada, como una transición de Peierls
| Título: | Estructura electrónica y transición metal-semiconductor en Cs₂Au₂Cl₆ |
| Autor: | Rodrígues, Daniel Enrique; Sferco, Silvano Juan; Rodríguez, Carlos Osvaldo |
| Fecha: | 1995 |
| Título revista: | Anales AFA |
| Editor: | Asociación Física Argentina |
| Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v07_n01_p123 |
| Ciudad: | Villa Martelli, Buenos Aires |
| Idioma: | Español |
| Año: | 1995 |
| Volumen: | 07 |
| Número: | 01 |
| Título revista abreviado: | An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) |
| ISSN: | 1850-1168 |
| Formato: | |
| PDF: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v07_n01_p123.pdf |
| Registro: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v07_n01_p123 |
