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Requejo, Félix Gregorio; Bibiloni, Aníbal Guillermo; Pasquevich, Alberto Felipe; Rentería, Mario; Shitu, Jorge Alejandro "Gradiente de campo eléctrico en impurezas ubicadas en sitios catiónicos de sesquióxidos con estructura bixbita" (1994). Anales AFA. 06(01): pp. 241-244

Resumen:

Se presentan en este trabajo los resultados de experimentos de Correlaciones Angulares Perturbadas (CAP) obtenidos empleando la sonda ¹⁸¹Ta en los sistemas Gd₂O₃, Sc₂O₃, In₂O₃ y Sm₂O₃. Las caracterizaciones así obtenidas se evalúan junto con las realizadas sobre estos y otros compuestos de estructura bixbita. Dado que en aquellas se ha empleado además la sonda "Cd es posible determinar la dependencia entre el gradiente de campo eléctrico (GCE) y la constante de red de la estructura para cada una de estas dos sondas. Analizando la relación entre los GCE en los dos sitios catiónicos de cada bixbita se encuentra que ella depende en forma lineal de la constante de red del compuesto. La proporcionalidad hallada entre la constante de red y el cociente entre los GCE para ambos sitios de la bixbita es independiente de la sonda utilizada en el experimento CAP dentro de un intervalo de confianza del 95%

Abstract:

In this work we present the results obtained with the Perturbed Angular Correlation (PAC) technique using the ¹⁸¹Ta probe in Gd₂O₃, Sc₂O₃, In₂O, and Sm₂O,. These results are analyzed and compared with previous ones performed with the "Cd probe in the same byxbites considering the effect of the lattice constant of the compound. We can conclude that the ratio between the electric field gradients in each of the two sites of the byxbite have a lineal dependence with the lattice constant. This behavior is independent of the probe employed with a 95% of confidence

Registro:

Título:Gradiente de campo eléctrico en impurezas ubicadas en sitios catiónicos de sesquióxidos con estructura bixbita
Autor:Requejo, Félix Gregorio; Bibiloni, Aníbal Guillermo; Pasquevich, Alberto Felipe; Rentería, Mario; Shitu, Jorge Alejandro
Fecha:1994
Título revista:Anales AFA
Editor:Asociación Física Argentina
Handle: http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v06_n01_p241
Ciudad:Villa Martelli, Buenos Aires
Idioma:Español
Año:1994
Volumen:06
Número:01
Título revista abreviado:An. (Asoc. Fís. Argent., En línea)
ISSN:1850-1168
Formato:PDF
PDF:https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v06_n01_p241.pdf
Registro:https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v06_n01_p241

Citas:

---------- APA ----------
Requejo, Félix Gregorio, Bibiloni, Aníbal Guillermo, Pasquevich, Alberto Felipe, Rentería, Mario & Shitu, Jorge Alejandro(1994). Gradiente de campo eléctrico en impurezas ubicadas en sitios catiónicos de sesquióxidos con estructura bixbita. Anales AFA, 06(01), 241-244.
---------- CHICAGO ----------
Requejo, Félix Gregorio, Bibiloni, Aníbal Guillermo, Pasquevich, Alberto Felipe, Rentería, Mario, Shitu, Jorge Alejandro. "Gradiente de campo eléctrico en impurezas ubicadas en sitios catiónicos de sesquióxidos con estructura bixbita" . Anales AFA 06, no. 01 (1994): 241-244.
---------- MLA ----------
Requejo, Félix Gregorio, Bibiloni, Aníbal Guillermo, Pasquevich, Alberto Felipe, Rentería, Mario, Shitu, Jorge Alejandro. "Gradiente de campo eléctrico en impurezas ubicadas en sitios catiónicos de sesquióxidos con estructura bixbita" . Anales AFA, vol. 06, no. 01, 1994, pp. 241-244.
---------- VANCOUVER ----------
Requejo, Félix Gregorio, Bibiloni, Aníbal Guillermo, Pasquevich, Alberto Felipe, Rentería, Mario, Shitu, Jorge Alejandro. Gradiente de campo eléctrico en impurezas ubicadas en sitios catiónicos de sesquióxidos con estructura bixbita. An. (Asoc. Fís. Argent., En línea). 1994;06(01): 241-244 . Available from: https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v06_n01_p241