Se analiza la estructura electrónica de los compuestos MˡˡˡPS₄ (Mˡˡˡ = B, Al, Ga, In) usando el método tightbinding. Se correlaciona la estructura electrónica con la estructura atómica, permitiendo comprender los estados atómicos que contribuyen al espectro de fotoemisión (XPS) de la banda de valencia de InPS₄. Se identifican las diferencias observables en la densidad de estados, al variar el elemento del grupo III.
Título: | Estructura electrónica de los compuestos MˡˡˡPS₄ |
Autor: | García, Evelina Andrea; Bolcatto, Pablo Guillermo |
Fecha: | 1993 |
Título revista: | Anales AFA |
Editor: | Asociación Física Argentina |
Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p286 |
Ciudad: | Villa Martelli, Buenos Aires |
Idioma: | Español |
Año: | 1993 |
Volumen: | 05 |
Número: | 01 |
Título revista abreviado: | An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) |
ISSN: | 1850-1168 |
Formato: | |
PDF: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v05_n01_p286.pdf |
Registro: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v05_n01_p286 |