Se han empleado distintos reactivos para la obtención de figuras de corrosión por ataque químico y para hallar, en consecuencia, la densidad de dislocaciones y la desorientación entre subgranos contiguos en sustratos de CdZnTe, caras (111)ᴄԁ y (111)Tₑ. Estos sustratos se emplean para el crecimiento epitaxial de Hg₁₋ₓ Cdₓ Te (MCT) (x ≅ 0,2), el cual constituye un excelente detector de infrarrojos. Se presentan y comparan los resultados micrográficos obtenidos con los diferentes reactivos
Different reagents were employed to obtain etch pits to evaluate by chemical etching the dislocation density and the misorientation between adjacent subgrains on single crystalline CdZnTe (111)ᴄԁ and (111)Tₑ faces. These substrates are employed to grow Hg₁₋ₓ Cdₓ Te (MCT) (x ≅0,2) by vapor phase epitaxy (VPE). Micrographic results, which were obtained with the different reagents, are presented and compared among them
Título: | Calidad cristalina del CdZnTe |
Autor: | Gilabert, Ulises Eduardo; Trigubó, A. B.; Walsöe de Reca, N. E. |
Fecha: | 1993 |
Título revista: | Anales AFA |
Editor: | Asociación Física Argentina |
Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p283 |
Ciudad: | Villa Martelli, Buenos Aires |
Idioma: | Español |
Año: | 1993 |
Volumen: | 05 |
Número: | 01 |
Título revista abreviado: | An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) |
ISSN: | 1850-1168 |
Formato: | |
PDF: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v05_n01_p283.pdf |
Registro: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v05_n01_p283 |