En este trabajo se presentan las características corriente de túnel-voltaje medidas sobre diodos Aluminio-dióxido de Silicio-Silicio con espesor de dieléctrico desde 25 Å a 70 Å sobre un extendido rango de corriente 10ˉ⁹ < J < 1 Amp/cm², y un sencillo modelo que da cuenta de las mismas. Sus características salientes son el uso de una relación de dispersión k (E) = k₀ constante en la banda prohibida del aislante, y la inclusión de un factor que atenúa la probabilidad de túnel en forma exponencial con la energía medida desde la banda de conducción del aislante. La derivada dlogJ/dV muestra ser una poderosa herramienta para discriminar entre distintos modelos
| Título: | Túnel en estructuras aluminio-dióxido de silicio-silicio |
| Autor: | Faigón, Adrián Néstor; Campabadal, Francesca; Miranda, Enrique A.; Redin, Eduardo Gabriel |
| Fecha: | 1992 |
| Título revista: | Anales AFA |
| Editor: | Asociación Física Argentina |
| Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v04_n01_p263 |
| Ciudad: | Villa Martelli, Buenos Aires |
| Idioma: | Español |
| Año: | 1992 |
| Volumen: | 04 |
| Número: | 01 |
| Título revista abreviado: | An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) |
| ISSN: | 1850-1168 |
| Formato: | |
| PDF: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v04_n01_p263.pdf |
| Registro: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v04_n01_p263 |
