En este trabajo se presentan las características corriente de túnel-voltaje medidas sobre diodos Aluminio-dióxido de Silicio-Silicio con espesor de dieléctrico desde 25 Å a 70 Å sobre un extendido rango de corriente 10ˉ⁹ < J < 1 Amp/cm², y un sencillo modelo que da cuenta de las mismas. Sus características salientes son el uso de una relación de dispersión k (E) = k₀ constante en la banda prohibida del aislante, y la inclusión de un factor que atenúa la probabilidad de túnel en forma exponencial con la energía medida desde la banda de conducción del aislante. La derivada dlogJ/dV muestra ser una poderosa herramienta para discriminar entre distintos modelos
Título: | Túnel en estructuras aluminio-dióxido de silicio-silicio |
Autor: | Faigón, Adrián Néstor; Campabadal, Francesca; Miranda, Enrique A.; Redin, Eduardo Gabriel |
Fecha: | 1992 |
Título revista: | Anales AFA |
Editor: | Asociación Física Argentina |
Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v04_n01_p263 |
Ciudad: | Villa Martelli, Buenos Aires |
Idioma: | Español |
Año: | 1992 |
Volumen: | 04 |
Número: | 01 |
Título revista abreviado: | An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) |
ISSN: | 1850-1168 |
Formato: | |
PDF: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v04_n01_p263.pdf |
Registro: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v04_n01_p263 |