Se analiza la estructura electrónica de los óxidos GaAsO₄, As₂O₅, y Ga₂O₃. Se presentan resultados experimentales de fotoemisión (XPS) de la densidad de estados (DOS) de banda de valencia para cada uno de los sistemas, y se comparan con cálculos teóricos de la DOS obtenidos a partir del cómputo de las respectivas estructuras de bandas utilizando un método tight-binding. Se identifican los estados atómicos que contribuyen a cada pico experimental y se correlacionan las diferencias estructurales entre estos óxidos con los diferentes rasgos experimentales exhibidos en los espectros XPS
| Título: | Estructura electrónica de óxidos de GaAs |
| Autor: | Albanesi, Eduardo Aldo; Sferco, Silvano Juan; Allan, Guy; Lannoo, Michel; Hollinger, Guy |
| Fecha: | 1991 |
| Título revista: | Anales AFA |
| Editor: | Asociación Física Argentina |
| Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v03_n01_p367 |
| Ciudad: | Villa Martelli, Buenos Aires |
| Idioma: | Español |
| Año: | 1991 |
| Volumen: | 03 |
| Número: | 01 |
| Título revista abreviado: | An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) |
| ISSN: | 1850-1168 |
| Formato: | |
| PDF: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v03_n01_p367.pdf |
| Registro: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v03_n01_p367 |
