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Albanesi, Eduardo Aldo; Sferco, S. J.; Allan, G.; Lannoo, Michel; Hollinger, Guy "Estructura electrónica de óxidos de GaAs" (1991). Anales AFA. 03(01): pp. 367-370

Resumen:

Se analiza la estructura electrónica de los óxidos GaAsO₄, As₂O₅, y Ga₂O₃. Se presentan resultados experimentales de fotoemisión (XPS) de la densidad de estados (DOS) de banda de valencia para cada uno de los sistemas, y se comparan con cálculos teóricos de la DOS obtenidos a partir del cómputo de las respectivas estructuras de bandas utilizando un método tight-binding. Se identifican los estados atómicos que contribuyen a cada pico experimental y se correlacionan las diferencias estructurales entre estos óxidos con los diferentes rasgos experimentales exhibidos en los espectros XPS

Registro:

Título:Estructura electrónica de óxidos de GaAs
Autor:Albanesi, Eduardo Aldo; Sferco, S. J.; Allan, G.; Lannoo, Michel; Hollinger, Guy
Fecha:1991
Título revista:Anales AFA
Editor:Asociación Física Argentina
Handle: http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v03_n01_p367
Ciudad:Villa Martelli, Buenos Aires
Idioma:Español
Año:1991
Volumen:03
Número:01
Título revista abreviado:An. (Asoc. Fís. Argent., En línea)
ISSN:1850-1168
Formato:PDF
PDF:https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v03_n01_p367.pdf
Registro:https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v03_n01_p367

Citas:

---------- APA ----------
Albanesi, Eduardo Aldo, Sferco, S. J., Allan, G., Lannoo, Michel & Hollinger, Guy(1991). Estructura electrónica de óxidos de GaAs. Anales AFA, 03(01), 367-370.
---------- CHICAGO ----------
Albanesi, Eduardo Aldo, Sferco, S. J., Allan, G., Lannoo, Michel, Hollinger, Guy. "Estructura electrónica de óxidos de GaAs" . Anales AFA 03, no. 01 (1991): 367-370.
---------- MLA ----------
Albanesi, Eduardo Aldo, Sferco, S. J., Allan, G., Lannoo, Michel, Hollinger, Guy. "Estructura electrónica de óxidos de GaAs" . Anales AFA, vol. 03, no. 01, 1991, pp. 367-370.
---------- VANCOUVER ----------
Albanesi, Eduardo Aldo, Sferco, S. J., Allan, G., Lannoo, Michel, Hollinger, Guy. Estructura electrónica de óxidos de GaAs. An. (Asoc. Fís. Argent., En línea). 1991;03(01): 367-370 . Available from: https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v03_n01_p367