Estudiamos la influencia de los estados superficiales inducidos por quimisorción (EIQ) sobre la posición del nivel de Fermi Ef, en la banda prohibida durante la formación de la interfaz metal-semiconductor. Se distinguen dos etapas en la evolución del mismo: 1) evolución rápida, determinada por los EIQ que desplazan Ef, hacia el centro de la brecha para cubrimientos θ < 0,01 monocapas; 2) evolución lenta (etapa final), determinada por la interacción dipolar que desplaza Ef, nuevamente hacia las bandas hasta alcanzar su posición final una vez ocurrida la metalización
| Título: | Rol de los estados superficiales en la formación de la barrera de Schottky |
| Autor: | Mirabella, D.; Deza, Roberto Raúl; Aldao, C. M. |
| Fecha: | 1991 |
| Título revista: | Anales AFA |
| Editor: | Asociación Física Argentina |
| Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v03_n01_p079 |
| Ciudad: | Villa Martelli, Buenos Aires |
| Idioma: | Español |
| Año: | 1991 |
| Volumen: | 03 |
| Número: | 01 |
| Título revista abreviado: | An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) |
| ISSN: | 1850-1168 |
| Formato: | |
| PDF: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v03_n01_p079.pdf |
| Registro: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v03_n01_p079 |
