Se investigó la degradación de películas delgadas de óxido de silicio nitrurado en plasma de amonia, incorporadas como aislante de grilla en estructuras Metal Óxido Semiconductor sometidas a inyección de carga por efecto túnel. Comparando con resultados obtenidos sobre películas de SiO₂ de tecnología standard, se observa una tasa de creación de trampas inferior por un factor 2 y una creación de estados superficiales en la interface con el silicio menor por un orden de magnitud
Título: | Creación de trampas y estados de interfase en películas delgadas de oxinitruro de silicio en estructuras M.O.S. |
Autor: | Faigón, Adrián Néstor; Stravoni, A.; Miranda, Enrique A.; Redin, Eduardo Gabriel |
Fecha: | 1990 |
Título revista: | Anales AFA |
Editor: | Asociación Física Argentina |
Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v02_n01_p252 |
Ciudad: | Villa Martelli, Buenos Aires |
Idioma: | Español |
Año: | 1990 |
Volumen: | 02 |
Número: | 01 |
Título revista abreviado: | An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) |
ISSN: | 1850-1168 |
Formato: | |
PDF: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v02_n01_p252.pdf |
Registro: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v02_n01_p252 |