Se investigó la degradación de películas delgadas de óxido de silicio nitrurado en plasma de amonia, incorporadas como aislante de grilla en estructuras Metal Óxido Semiconductor sometidas a inyección de carga por efecto túnel. Comparando con resultados obtenidos sobre películas de SiO₂ de tecnología standard, se observa una tasa de creación de trampas inferior por un factor 2 y una creación de estados superficiales en la interface con el silicio menor por un orden de magnitud
| Título: | Creación de trampas y estados de interfase en películas delgadas de oxinitruro de silicio en estructuras M.O.S. |
| Autor: | Faigón, Adrián Néstor; Stravoni, A.; Miranda, Enrique A.; Redin, Eduardo Gabriel |
| Fecha: | 1990 |
| Título revista: | Anales AFA |
| Editor: | Asociación Física Argentina |
| Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v02_n01_p252 |
| Ciudad: | Villa Martelli, Buenos Aires |
| Idioma: | Español |
| Año: | 1990 |
| Volumen: | 02 |
| Número: | 01 |
| Título revista abreviado: | An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) |
| ISSN: | 1850-1168 |
| Formato: | |
| PDF: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v02_n01_p252.pdf |
| Registro: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v02_n01_p252 |
