Resumen:

Numerosos estudios han sido realizados en capas delgadas de SnO₂: Sb preparadas por el método de pulverización pirolítica, debido a las ventajas que presentan en cuanto a su utilización como ventana en dispositivos optoelectrónicos. En general dichos trabajos concuerdan en que, para dopajes con Sb del orden del 20% M, las capas resultan ser amorfas con una alta resistividad eléctrica. Dado que en nuestras muestras ésto no se observa, realizamos un estudio sistemático de propiedades estructurales y de composición química para dopajes desde 0% hasta un 100% M de antimonio

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