En una serie de materiales pertenecientes a los grupos de semiconductores III-V y II-VI y que presentaban todos la misma estructura cristalina (tipo diamante-blenda de Cinc, polares) aunque con uniones atómicas de diferentes proporciones de carácter iónico y covalente, se investigó la dependencia entre la energía de fractura (generada por indentación con microdurómetro Vickers) y la ionicidad. Se estudió la velocidad de propagación de las fracturas (iniciadas en la microimpronta) a temperatura ambiente por microscopía óptica y microscopía electrónica de barrido. Se consideró, además, el efecto del medio en el que se efectuaba la indentación (agua, alcohol etílico, acetona y aceite de siliconas) sobre la propagación de las microfisuras.
| Título: | Relación entre propiedades mecánicas e ionicidad en semiconductores II-V y II-VI |
| Autor: | Miralles, Mónica Teresita; Walsöe de Reca, N. E. |
| Fecha: | 1990 |
| Título revista: | Anales AFA |
| Editor: | Asociación Física Argentina |
| Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v02_n01_p230 |
| Ciudad: | Villa Martelli, Buenos Aires |
| Idioma: | Español |
| Año: | 1990 |
| Volumen: | 02 |
| Número: | 01 |
| Título revista abreviado: | An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) |
| ISSN: | 1850-1168 |
| Formato: | |
| PDF: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v02_n01_p230.pdf |
| Registro: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v02_n01_p230 |
