Se ha observado en lingotes del semiconductor TeCdₓHg₁₋ₓ con x=0,2 (crecidos por el método de Bridgman) el fenómeno de crecimiento y migración de granos por tensión inducida (SlBM). Las protuberancias crecidas en un cristal han sido caracterizadas por microscopía óptica (luz polarizada) y por microscopía electrónica de barrido. Se analizan las causas del fenómeno en función del modelo de Beck y Sperry
Título: | Crecimiento de grano por tensión inducida en TCM |
Autor: | Cánepa, Horacio Ricardo; Walsöe de Reca, N. E. |
Fecha: | 1990 |
Título revista: | Anales AFA |
Editor: | Asociación Física Argentina |
Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v02_n01_p223 |
Ciudad: | Villa Martelli, Buenos Aires |
Idioma: | Español |
Año: | 1990 |
Volumen: | 02 |
Número: | 01 |
Título revista abreviado: | An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) |
ISSN: | 1850-1168 |
Formato: | |
PDF: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v02_n01_p223.pdf |
Registro: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v02_n01_p223 |