Se presentan cálculos de la constante dieléctrica de óxidos de semiconductores cuya coordinación local es del mismo tipo que el SiO₂ (a - quartz). Se analizan dos modelos: el molecular y el dieléctrico de Philips y Van Vechten. Se concluye que este último permite explicar razonablemente los valores experimentales de ε ͚ medidos para estos sistemas. Se analizan los posibles efectos no incluídos en el modelo molecular (campo local, por ejemplo) responsables del mal acuerdo de este modelo con los resultados experimentales
| Título: | Constante dieléctrica de óxidos de semiconductores tipo III-V |
| Autor: | Sferco, Silvano Juan; Lannoo, Michel; Elhaidouri, A. |
| Fecha: | 1989 |
| Título revista: | Anales AFA |
| Editor: | Asociación Física Argentina |
| Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v01_n01_p302 |
| Ciudad: | Villa Martelli, Buenos Aires |
| Idioma: | Español |
| Año: | 1989 |
| Volumen: | 01 |
| Número: | 01 |
| Título revista abreviado: | An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) |
| ISSN: | 1850-1168 |
| Formato: | |
| PDF: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v01_n01_p302.pdf |
| Registro: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v01_n01_p302 |
