Se presentan cálculos de la constante dieléctrica de óxidos de semiconductores cuya coordinación local es del mismo tipo que el SiO₂ (a - quartz). Se analizan dos modelos: el molecular y el dieléctrico de Philips y Van Vechten. Se concluye que este último permite explicar razonablemente los valores experimentales de ε ͚ medidos para estos sistemas. Se analizan los posibles efectos no incluídos en el modelo molecular (campo local, por ejemplo) responsables del mal acuerdo de este modelo con los resultados experimentales
Título: | Constante dieléctrica de óxidos de semiconductores tipo III-V |
Autor: | Sferco, S. J.; Lannoo, Michel; Elhaidouri, A. |
Fecha: | 1989 |
Título revista: | Anales AFA |
Editor: | Asociación Física Argentina |
Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v01_n01_p302 |
Ciudad: | Villa Martelli, Buenos Aires |
Idioma: | Español |
Año: | 1989 |
Volumen: | 01 |
Número: | 01 |
Título revista abreviado: | An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) |
ISSN: | 1850-1168 |
Formato: | |
PDF: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v01_n01_p302.pdf |
Registro: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v01_n01_p302 |