Se emplea el método isotérmico de epitaxia en fase vapor para la obtención de capas Hg₁₋ₓ₋yCdₓMnyTe con un gradiente de composición, sobre sustratos de Cd₁₋ₓMnₓ Te. En esta técnica, la composición superficial y las características electrónicas (tipo de conductividad y movilidad de los portadores) pueden ser controladas ajustando las temperaturas del sustrato y la fuente por un lado y la del Hg por otro. Los crecimientos fueron caracterizados por rayos X (método de Laue), microscopía electrónica de barrido y microsonda electrónica, técnicas de "etching" y efecto Halkl. Los mismos presentan características adecuadas para su posterior aplicación en la fabricación de detectores de IR de tipo fotovoltaico
| Título: | Crecimiento de capas epitaxiales de CdₓHg₁₋ₓ₋yMnyTe utilizando el método de epitaxia en fase vapor |
| Autor: | Cánepa, Horacio Ricardo; Heredia, Eduardo Armando; Nöllmann, Ida |
| Fecha: | 1989 |
| Título revista: | Anales AFA |
| Editor: | Asociación Física Argentina |
| Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v01_n01_p269 |
| Ciudad: | Villa Martelli, Buenos Aires |
| Idioma: | Español |
| Año: | 1989 |
| Volumen: | 01 |
| Número: | 01 |
| Título revista abreviado: | An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) |
| ISSN: | 1850-1168 |
| Formato: | |
| PDF: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v01_n01_p269.pdf |
| Registro: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v01_n01_p269 |
