Registro:
| Documento: | Informe Técnico |
| Fecha: | 31 octubre 2016 |
| Handle: |
http://hdl.handle.net/20.500.12110/technicalreport_n00030 |
| Extensión: | 19 pág.
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| Formato: | application/pdf |
| Filiación: | Instituto Nacional de Tecnología Industrial. Procesos Superficiales; Argentina.; Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Departamento de Química Inorgánica, Analítica y Química Física; Argentina.; Universidade Federal de São Carlos; Brasil. |
| Editor Institucional: | Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales |
| Derechos de Acceso: |
Esta obra puede ser leída, grabada y utilizada con fines de estudio, investigación y docencia. Es necesario el reconocimiento de autoría mediante la cita correspondiente.
(2017-10) : http://hdl.handle.net/20.500.12110/technicalreport_n00030 |
Resumen:
En este trabajo se han comparado las deposiciones voltamétricas y galvanostáticas 1, 2, 3 de cinc, en medio de cloruros a pH 4, en presencia y ausencia de tiourea (3 10-5M). La deposición de cinc en la industria se lleva a cabo en condiciones galvanostáticas, de ahí la importancia de su comprensión comparándola con la voltametría. En la deposición voltamétrica se han identificado cinco zonas de potencial en las que se distinguen procesos cuyo estudio es esencial para comprender el mecanismo de la electrodeposición en las condiciones de trabajo. A medida que se avanza hacia potenciales más negativos se destacan las zonas Z1, de nucleación Z2, electrodeposición Z3, activada y la de deposición masiva con control por transferencia de materia Z4 y Z5 de tendencia a la corriente límite. Se ha encontrado que la deposición galvanostática, permite trabajar en un valor de densidad de corriente j (en mAcm-2) en donde evoluciona el potencial hacia un valor que permanece constante, durante tiempos muy largos. La presencia de tiourea en el baño, permite que el potencial se mantenga estable durante largos tiempos y que para distintas Ig, el potencial varíe poco.
Citación:
---------- APA ----------
(2017-10). Recuperado de http://hdl.handle.net/20.500.12110/technicalreport_n00030
---------- CHICAGO ----------
(2017-10) : http://hdl.handle.net/20.500.12110/technicalreport_n00030
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