Registro:
| Documento: | Tesis de Grado |
| Título: | Estudio de memorias resistivas basadas en aislantes de Mott |
| Autor: | Sattler, Martín Iván |
| Editor: | Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales |
| Publicación en la web: | 2026-02-08 |
| Fecha de defensa: | 2025-08-08 |
| Fecha en portada: | 2025 |
| Grado Obtenido: | Grado |
| Título Obtenido: | Licenciado en Ciencias Físicas |
| Departamento Docente: | Departamento de Física |
| Director: | Acha, Carlos Enrique |
| Director Asistente: | Camjayi, Alberto |
| Jurado: | Quintero, Mariano Horacio; Famá, Lucía Mercedes; Tamborenea, Pablo Ignacio |
| Idioma: | Español |
| Formato: | PDF |
| Handle: |
https://hdl.handle.net/20.500.12110/seminario_nFIS000250_Sattler |
| PDF: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/seminario/seminario_nFIS000250_Sattler.pdf |
| Registro: | https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/seminario/document/seminario_nFIS000250_Sattler |
| Ubicación: | FIS 000250 |
| Derechos de Acceso: | Esta obra puede ser leída, grabada y utilizada con fines de estudio, investigación y docencia. Es necesario el reconocimiento de autoría mediante la cita correspondiente. Sattler, Martín Iván. (2025). Estudio de memorias resistivas basadas en aislantes de Mott. (Tesis de Grado. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales.). Recuperado de https://hdl.handle.net/20.500.12110/seminario_nFIS000250_Sattler |
Resumen:
El presente trabajo aborda la exploración detallada de las propiedades eléctricas de un monocristal parcialmente desoxigenado de Sr2IrO4 (SIO), un aislante de Mott de gran interés en la física de materiales correlacionados. El estudio se realizó aplicando configuraciones experimentales de dos y cuatro terminales, con mediciones de resistividad, curvas I-V obtenidas por técnicas continuas y pulsadas, y espectroscopía de impedancia, todas en función de la temperatura, en un intervalo comprendido entre 10 K y 290 K. A partir de estos experimentos fue posible reproducir la conmutación resistiva, identificar y diferenciar respuestas volátiles y no volátiles, y observar diversos regímenes de transporte no lineal. Entre los fenómenos destacados se encuentran la resistencia diferencial negativa (NDR), la aparición de inductancia química y la manifestación de dinámicas acordes con un oscilador de Duffing bajo estimulación AC y DC. El conjunto de resultados permite correlacionar la evolución de las propiedades eléctricas con cambios en la estructura local del cristal y el grado de estequiometría, proporcionando nuevos elementos para una comprensión más profunda de los mecanismos de transporte en aislantes de Mott como el SIO.
Citación:
---------- APA ----------
Sattler, Martín Iván. (2025). Estudio de memorias resistivas basadas en aislantes de Mott. (Tesis de Grado. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales.). Recuperado de https://hdl.handle.net/20.500.12110/seminario_nFIS000250_Sattler
---------- CHICAGO ----------
Sattler, Martín Iván. "Estudio de memorias resistivas basadas en aislantes de Mott". Tesis de Grado, Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales, 2025.https://hdl.handle.net/20.500.12110/seminario_nFIS000250_Sattler
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